:IPB017N10N5ATMA1现货供应优势出售

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产品信息

属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 180 A
最大漏源电压 100 V
最大漏源电阻 2.2 mΩ
最大栅阈值电压 3.8V
最小栅阈值电压 2.2V
最大栅源电压 20 V
封装类型 TO-263
安装类型 表面贴装
引脚数目 7 + Tab
晶体管配置
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 375 W
正向跨导 264S
尺寸 10.31 x 11.05 x 4.57mm
最低工作温度 -55 °C
长度 10.31mm
典型接通延迟时间 33 ns
典型关断延迟时间 80 ns
每片芯片元件数目 1
宽度 11.05mm
正向二极管电压 1.2V
典型栅极电荷@Vgs 168 nC @ 10 V
高度 4.57mm
最高工作温度 +175 °C
典型输入电容值@Vds 12000 pF @ 50 V
系列 IPB017N10N5
 
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公司介绍

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