:IRF7749L1TRPBF现货供应优势出售

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产品信息

属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 375 A
最大漏源电压 60 V
最大漏源电阻 1.5 mΩ
最大栅源电压 -20 V、+20 V
封装类型 DirectFET
安装类型 表面贴装
晶体管配置
引脚数目 15
通道模式 增强
类别 功率 MOSFET
最大功率耗散 125 W
典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V
最高工作温度 +175 °C
正向跨导 280S
典型关断延迟时间 78 ns
每片芯片元件数目 1
宽度 7.1mm
长度 9.15mm
典型接通延迟时间 17 ns
最低工作温度 -55 °C
尺寸 9.15 x 7.1 x 0.49mm
正向二极管电压 1.3V
高度 0.49mm
晶体管材料 Si
典型输入电容值@Vds 12320 pF @ 25 V
系列 DirectFET, HEXFET
 
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公司介绍

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